Universal Flash Storage 3.0 für doppelt so schnellen Speicher angekündigt

Schon seit Jahren, um genau zu sein seit dem Galaxy S6 und S6 edge, setzt Samsung auf einen Universal Flash Storage 2.0 den man im Galaxy S7 und S8 weiterentwickelt hat. Beim Galaxy S7 konnte man zusätzlich zum UFS 2.0 auch eine microSD Karte nutzen, was beim Galaxy S6 nicht ging.

Dieser Speicher verfügte über zwei Bahnen und war mit einer Geschwindigkeit von 5,8 GBit/s je Bahn schon ziemlich schnell. Insgesamt also 11,6 GBit/s. Mit UFS 2.1 wurde die Geschwindigkeit weiter erhöht und mit dem Universal Flash Storage 3.0 der heute angekündigt wurde, geht dieser Wert noch einmal steil in die Höhe.

Der neue UFS 3.0 Standard soll pro Bahn auf eine Geschwindigkeit von 11,6 GBit/s kommen, was insgesamt aufgrund der zwei Bahnen 23,2 GBit/s bedeutet. Aufgrund der erhöhten Anfrage von UFS 3.0 im Einsatz für Autos, wurde auch die Temperaturspanne auf -40 °C bis 105 °C festgelegt. Auch die VCC-Spannung wurde auf 2,5 Volt gesetzt. Zusammen mit UFS 3.0 hat man für Speicherkarten Version 1.1 der UFS Card Extension angekündigt.

Diese Speicherkarten haben allerdings nie den Durchbruch geschafft, und sind genauso schnell verschwunden wie sie aufgetaucht sind. Insgesamt ist die Entwicklung der UFS Speicher in Bezug auf die Geschwindigkeit sehr vorbildlich. Vor allem gerade wegen den immer größer werdenden Datenmengen. Bis wir aber die ersten Geräte mit dem neuen UFS 3.0 Standard sehen werden, dürfte es noch etwas dauern.

via: mobiflip.de
Quelle: Jedec.org 

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