Samsung kündigt 45nm eFlash an

Flash-Laufwerke wie beispielsweise SSDs sind die Zukunft. Sie sind leise, schnell, sparsam und damit auch sehr effizient. Üblicherweise werden diese aktuell im 80 Nanometer Verfahren hergestellt, doch Samsung hat den Industrierekord gebrochen im 45nm Verfahren einen funktionierenden Flashchip gebaut.

samsung-pro-class-1500-flash-memory

Durch dieses Verfahren ist der Chip sehr nachhaltig und hat eine Haltbarkeit von einer Million Schreibzyklen pro Speicherzelle – doppelt so viel wie der Marktstandard. Auch die Zugriffszeit auf zufällige Speicherbereiche hat sich um 50 % reduziert, die Leistungseffizienz ist 25 % höher.

Interessant ist das Verfahren auch für Smart Cards, NFC Chips und TPMs (Trusted Platform Module), das beispielsweise für die Verschlüsselung von Festplatten unter Windows verwendet wird.

Quelle: Finanzen.net

Wenn ihr auf "Kommentare von Disqus laden" klickt, wird ein entsprechender Cookie gesetzt und Nutzerdaten, beispielsweise die IP-Adresse an Server von Disqus in den USA geschickt, die Kommentare werden dann geladen. Eure Entscheidung. Mehr Infos dazu in den Datenschutzhinweisen.

3 thoughts on “Samsung kündigt 45nm eFlash an

Schreibe einen Kommentar

Deine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht.