Samsung stellt neuen LPDDR4-Arbeitsspeicher vor: 4 GB für das nächste Flaggschiff?

Vor etwas über drei Jahren habe ich mit einem HTC Hero begonnen: 528 MHz und 288 MB DRAM (bzw 256 MB). In der Zwischenzeit hat sich viel getan, die Prozessoren liegen in Sachen Leistungsfähigkeit nur noch etwa drei bis vier Jahre hinter den heutigen Laptops und auch beim Arbeitsspeicher deutet sich der nächste große Schritt an.

Samsung hat nun als erster Hersteller einen 8 Gb LPDDR4 DRAM Chip vorgestellt, der in zukünftigen Smartphones zum Einsatz kommen soll. Mit acht Gigabit LPDDR4 pro die bietet der im 20nm-Verfahren hergestellte Chip die bisher höchste Speicherdichte in mobilem Arbeitsspeicher.

Bei rund 50 Prozent mehr Perfomance im Vergleich zu herkömmlichen LPDDR3 wie er etwa im Galaxy Note 3 zum Einsatz kommt, soll der neue Speicher trotzdem rund 40 Prozent weniger Energie benötigen. Stapelt man nun vier Dies auf einen Chip, kommt man auf 4 GB Arbeitsspeicher, der schneller ist, dafür jedoch weniger Energie benötigt. Samsung sagt, dass man 2014 mit der Serienproduktion beginnen wird, dass ein solcher Speicher im Nachfolger des Galaxy S4 zum Einsatz kommen wird, dürfte wohl wahrscheinlich sein. Mal sehen, wann dann Smartphones auch den Laptop ersetzen können – in Sachen Leistungsfähigkeit ist man schon sehr nah dran.

“This next-generation LPDDR4 DRAM will contribute significantly to faster growth of the global mobile DRAM market, which will soon comprise the largest share of the entire DRAM market,” said Young-Hyun Jun, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. “We will continue introducing the most advanced mobile DRAM one step ahead of the rest of the industry so that global OEMs can launch innovative mobile devices with exceptional user convenience in the timeliest manner.”

Samsung’s new high-speed 8Gb LPDDR4 mobile DRAM will provide the highest level of density, performance and energy efficiency for mobile memory applications, enabling end users to have faster, more responsive applications, more advanced features, and higher resolution displays while maximizing battery life.

The 8Gb LPDDR4 is fabricated on 20-nanometer (nm) class* process technology, and offers 1 gigabyte (GB) on a single die, which is the largest density available for DRAM components today. With four of the 8Gb chips, a single 4GB LPDDR4 package can provide the highest level of performance available today.

 

In addition, Samsung’s new 8Gb LPDDR4 uses a Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) I/O interface, which was originally proposed by Samsung to JEDEC and has become a standard specification for LPDDR4 DRAM. Based on this new interface, the LPDDR4 chip will enable a data transfer rate per pin of 3,200 megabits per second (Mbps), which is twice that of the 20nm-class LPDDR3 DRAM now in mass production. Overall, the new LPDDR4 interface will provide 50 percent higher performance than the fastest LPDDR3 or DDR3 memory. Also, it consumes approximately 40 percent less energy at 1.1 volts.

With the new chip, Samsung will focus on the premium mobile market including large screen UHD smartphones, tablets and ultra-slim notebooks that offer four times the resolution of full-HD imaging, and also on high-performance network systems.

Samsung is leading mobile DRAM technology development and is the leader in mobile DRAM market share with its 4Gb and 6Gb LPDDR3. It started offering the thinnest and smallest 3GB LPDDR3 (6Gb) package solutions in November and will provide its new 8Gb LPDDR4 DRAM in 2014. The 8Gb mobile DRAM chip will rapidly expand the market for high-density DRAM in next-generation mobile devices.

Quelle: Samsung via Engadget