Samsung startet Massenproduktion von 4 Gb DDR3 im 20nm Verfahren

Samsung will wieder einmal den Markt anführen und produziert erstmals 4 Gigabit DDR3 RAM im 20nm Verfahren. Gegenüber dem 25nm Verfahren sind die neuen RAM Chips bis zu 25 Prozent sparsamer und nehmen natürlich auch weniger Platz ein.

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Um dafür nicht eine völlig neue Fertigungstechnik entwickeln zu müssen, hat Samsung ein Verfahren entwickelt, mit dem bereits bestehende Technik für die Produktion verwendet werden kann. Diese legt zudem die Grundlagen für die künftige 10-19nm Produktion, was allerdings wohl noch eine Weile dauern wird. 

Gut ist auch, dass Samsung die Effizienz der Fertigung steigern konnte und die Produktivität damit um 30 Prozent gestiegen ist. Gegenüber dem vorigen 30-39nm Verfahren hat sich die Effizienz sogar verdoppelt.

Gedacht ist der Arbeitsspeicher für Notebooks, allerdings wird das neue Herstellungsverfahren sicherlich auch für die Herstellung von RAM für Smartphones und Tablets von Nutzen sein.

Quelle: Samsung

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