Im Galaxy S6 wird Samsung voraussichtlich erstmals auf einen SoC setzen, der im 14 nm Verfahren hergestellt wurde und dadurch sehr energieeffizient sein wird. Damit ist Samsung der Konkurrenz voraus, da Hersteller wie Qualcomm noch auf 20 nm Verfahren setzen. Samsung gibt sich aber auch damit natürlich nicht zufrieden und arbeitet bereits an 10 nm Fertigungsprozessen.
Dieser basiert wieder auf dem bereits für das 14 nm Verfahren genutzte FinFET Prozess. Für Samsung ist die Entwicklung der Technologie ein wichtiger Schritt für das „Internet der Dinge“, da so viele Geräte mit akkuschonenden Prozessoren ausgestattet werden können, die dennoch genug Leistung haben. Damit ist nun lediglich Intel Samsung noch einen Schritt voraus, denn Intels Pilotanlage für 10 nm Chips arbeitet bereits jetzt 50 Prozent schneller als seinerzeit die erste Anlage für 14 nm Chips.
Quelle: ZDnet, TomsHardware (via SamMobile)
Samsung muss mal Grafikkarten herstellen! 😀
Mit welchen Grafik-Chips denn?
Ist doch alles dummes Gelaber mit den nm, jeder Hersteller versteht darunter etwas anderes.
Der einzige richtige 14nm Prozess wird im Moment bei Intel realisiert.
Siehe hier:
http://www.golem.de/news/fertigungstechnik-der-14-nanometer-schwindel-1502-112524.html
Selbst das haut so nich richtig hin und ist in Wahrheit größer. Ist halt alles nur Marketing.
Laut Golem-Artikel wäre der TSMC „16nm FinFET+“-Prozess sogar etwas besser als der „14nm“-Samsung-Prozess. Also ist es doch schön, dass fabless SoC-Entwickler wie Qualcomm oder Apple nach wie vor eine gleichwertige Auswahl haben zw. Samsung und TSMC. Apple wird somit bestimmt nicht 100% von Samsung LSI sourcen.
Wobei 10nm allerdings erst für Ende 2016/Anfang 2017 geplant ist, also evtl. im Note 6 oder Galaxy S8.
Weil es da dann halt auch kostengünstig in Masse produziert werden kann. 🙂 Möglich wäre es aber heute schon.
Sehr gut 🙂 In ein paar Jahren sind wir dann im pm Bereich und die Leistung wird trotzdem dem x-fachen von heute entsprechen. Es gibt ja nicht umsonst das Mooresche Gesetz welches behauptet, dass sich die Anzahl der Transistoren pro Fläche alle 12 – 24 Monate verdoppelt. Dann kann man ja ausrechnen, wie lange es noch dauert ^^
In 2 Jahren kommt dann 5nm
In 3-4 Jahren 3nm
In 5 Jahren 1nm
Und SPÄTESTENS in 7 Jahren sind wir dann im pm Bereich 🙂
Fläche, Alter, Fläche….:
Eine Halbierung der Strukturbreite bedeudet eine Vervierfachung der Anzahl pro Fläche!
Das, was du sagst, ist natürlich richtig. Insofern ist der Schritt zwischen 10,5,3 und 1nm natürlich kleiner. Meine Berechnung der Jahresdauer ist also falsch ^^. Hab ich nicht dran gedacht. Stimmt. Trotzdem ändert sich nichts an dem Gesetz, dass sich die Transistoren verdoppeln und nicht verfierfachen. 🙂
Aber ich denke du wolltest auf die Zeitabstände raus.
hm also irgendwann passen die Elektronen nicht mehr ans Gate. Falls nicht sowieso vorher schon die Anzahl Atome zum Bau des FET zu gering ist…
schade eigentlich