Um dem immer weiter steigenden Bedarf an schnellen und großen Speichermedien gerecht zu werden, hat Samsung in den letzten Jahren erst 3-bit-NAND vorgestellt und ist später dazu übergegangen, NAND-Zellen in vertikaler Richtung aufzubauen. Der sogenannte 3D V-NAND setzt seit Jahren auf immer mehr Lagen an Speicherzellen und bietet so eine hohe Speicherdichte.
Samsung geht hier nun den nächsten Schritt und stapelt 3-bit-NAND, TLC, in Zukunft auf über 90 Lagen mit der fünften Generation des hauseigenen V-NAND.
Basierend auf dieser Technik stellte Samsung nun 256Gb Dies vor, welche zudem auf ein DDR4-Interface setzen. Hierüber lassen sich mit dem neuen Speicher Geschwindigkeiten von 1,4 Gbps erzielen, rund 40 Prozent schneller als dies noch bei dem vorherigen 3D V-NAND mit 64 Lagen möglich war. Auch ansonsten kann sich der neue Speicher sehen lassen: die Latenz ist laut Samsung um 30 Prozent auf 500 µs reduziert worden, bei der Leselatenz bietet man nun mit 50 µs einen stark schnelleren Wert als bisher. Der neue Speicher arbeitet zudem mit 1,2 Volt und nicht wie bisheriger Speicher mit 1,8 Volt, weshalb er trotz der Leistungssteigerung gleichbleibend effizient ausfallen soll, zudem wurde die Bauhöhe trotz mehr Lagen um 20 Prozent gesenkt.
Der nächste Schritt wird von Samsung aber auch bereits angedeutet: mit QLC-NAND, Quad-Level-Cell-NAND, der noch mehr Speicherzustände beherrscht, werden statt 256Gb auch bald Dies mit 1Tb ermöglicht. Somit könnte Samsung in Zukunft im SSD-Markt erneut für Wirbel sorgen – abwarten, wann es dann soweit ist mit QLC-NAND.
Quelle: Samsung
