Samsung startet modernste Fertigungsanlage für RAM-Bausteine in 20nm-Größe

Samsung ist einer der ganz wenigen Konzerne, wo man „alles aus einem Haus“ bekommen kann. Während andere aus der Produktion von RAM-Bausteinen aussteigen, da diese inzwischen wenig profitabel geworden ist, fährt Samsung komplett neue Geschütze auf und hat in Südkorea die Fab „Linie-16“ in Betrieb genommen. Hier sollen in Zukunft DDR3-RAM Bausteine im 20nm Fertigungsverfahren hergestellt werden, vorerst „nur“ 2 GB Bausteine, bereits Ende diesen Jahres/Anfang nächsten Jahres sollen aber auch größere Bausteine mit 4 GB gefertigt werden. Außerdem können in dem Werk DDR3L-Bausteine gefertigt werden, die vor allem in Servern zum Einsatz kommen auf Grund ihres niedrigeren Energiebedarfs von nur 1.35 Volt. Ob in Zukunft auch RAM-Bausteine in grade angekündigter DDR4-Technik hergestellt werden ist nicht bekannt – liegt jedoch nahe.

Samsung ist somit weiter auf dem Vormarsch und kann im Gegensatz zu Firmen wie beispielsweise Apple immer auf Produkte aus dem eigenen Haus zurückgreifen und muss nicht auf die der gerade beklagten Konkurrenz zurückgreifen …

Quelle: Golem.de und ndevil.com

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