Schlagwort-Archive: 3D-V-NAND

Samsung stellt 3D V-NAND der 5. Generation vor: 96 Lagen, noch schneller

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Um dem immer weiter steigenden Bedarf an schnellen und großen Speichermedien gerecht zu werden, hat Samsung in den letzten Jahren erst 3-bit-NAND vorgestellt und ist später dazu übergegangen, NAND-Zellen in vertikaler Richtung aufzubauen. Der sogenannte 3D V-NAND setzt seit Jahren auf immer mehr Lagen an Speicherzellen und bietet so eine hohe Speicherdichte.

Samsung geht hier nun den nächsten Schritt und stapelt 3-bit-NAND, TLC, in Zukunft auf über 90 Lagen mit der fünften Generation des hauseigenen V-NAND. Weiterlesen →

Samsung stellt SSD mit 30,72TB Speicherplatz vor

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SSDs sind eine gute Nummer, ältere PCs kann man extrem einfach mit einer SSD über SATA beschleunigen und neue Systeme setzen auf NVMe-SSDs mit Geschwindigkeiten von über 3000 MB/s im read.

Für Server und Enterprise-Systeme sind diese allerdings meist nicht ausreichend, da hier weitaus größere Datenmengen anfallen können. Bisher hatte Samsung hier als Flaggschiff für Enterprise-SSDs ein Speichermedium mit 15,36 TB im Angebot, nun verdoppelt man diese Kapazität nochmal. Weiterlesen →

Erste SSDs mit 3D-V-NAND bald für Unternehmen erhältlich

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Auf dem Global SSD Summit in Korea, wo auch wir anwesend waren, hat Samsung vor kurzem einige neue SSDs vorgestellt, die bereits eine sehr hohe Geschwindigkeit aufweisen konnten. Auf dem Flash Memory Summit 2013 hat Samsung gestern dann die ersten SSDs mit 3D-V-NAND vorgestellt, die bis zu 20 % schneller sind als herkömmliche SSDs.

SSD 840 EVO Einbau

Dabei reduziert sich der Stromverbrauch sogar um über 40 %. Ermöglicht wird das durch nun auch vertikal angeordnete Speicherzellen, wodurch die Technologie etwas dem Gehirn ähnelt. Intel nutzt mit 3D-Transistoren in Ivy Bridge Chips bereits eine ähnliche Technologie. Weiterlesen →