Moore’s Law dürfte wohl jedem ein Begriff sein: verkürzt verdoppelt sich als Faustregel im Mittel innerhalb von 18 Monaten die Menge an Schaltkreisen pro Fläche.
Aufgestellt 1965 wurde die These, dass sich jedes Jahr die Schaltkreisdichte verdoppeln würde, bereits 1975 von Moore revidiert und auf 24 Monate gesetzt. Eingependelt hat sich die Geschwindigkeit real bei etwa 20 Monaten. Die Frage ist jedoch, wie lange dies der Fall sein wird – aktuell wird etwa der Exynos 8895 und Snapdragon 835 im Galaxy S8 bereits mit 19 nm FinFET gefertigt, die Sprünge bei der Größe werden also immer kleiner. Samsungs Halbleitersparte hat nun auf dem hauseigenen Samsung Foundry Forum einen Ausblick auf die Roadmap gegeben, laut der Moore noch einige Jahre Recht behalten dürfte. Weiterlesen
